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    碳化硅，也叫SiC，是一種半導(dǎo)體基材，由純硅和純碳組成。氮和磷在SiC中混合形成n型半導(dǎo)體，或者與鈹、硼、鋁或鎵混合形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅種類多、純度高，但是半導(dǎo)體級碳化硅是近幾十年才出現(xiàn)的。

    制作碳化硅比較簡單的方法是將硅砂和碳在2500攝氏度的高溫中熔化(如煤)。深色和普通的碳化硅通常含有鐵和碳雜質(zhì)，但是在2700攝氏度升華時(shí)，純碳化硅是無色的。受熱后，該晶體在較低溫度下沉積于石墨上。

    Lely法：在這個(gè)過程中，花崗巖坩堝通過感應(yīng)加熱，得到高溫升華碳化硅粉末。石墨棒低溫浮在氣體混合物中，純碳化硅自然堆積成晶體。

    -化學(xué)蒸氣沉積：制造商也可以用化學(xué)蒸氣沉積法生長立方SiC，通常用于碳基合成工藝和半導(dǎo)體工業(yè)。一種特殊的混合化學(xué)氣體進(jìn)入真空環(huán)境，在沉積到底部前合并。

    兩種生產(chǎn)碳化硅晶片的方法都需要大量的能量，設(shè)備和知識才能成功。更多內(nèi)容資訊，請關(guān)注http://m.hualizg.cn/進(jìn)行了解。