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如何制作碳化硅？
更新時間：2021-07-16 關注：3100
碳化硅，也叫SiC，是一種半導體基材，由純硅和純碳組成。氮和磷在SiC中混合形成n型半導體，或者與鈹、硼、鋁或鎵混合形成p型半導體。雖然碳化硅種類多、純度高，但是半導體級碳化硅是近幾十年才出現的。
制作碳化硅比較簡單的方法是將硅砂和碳在2500攝氏度的高溫中熔化(如煤)。深色和普通的碳化硅通常含有鐵和碳雜質，但是在2700攝氏度升華時，純碳化硅是無色的。受熱后，該晶體在較低溫度下沉積于石墨上。
Lely法：在這個過程中，花崗巖坩堝通過感應加熱，得到高溫升華碳化硅粉末。石墨棒低溫浮在氣體混合物中，純碳化硅自然堆積成晶體。
-化學蒸氣沉積：制造商也可以用化學蒸氣沉積法生長立方SiC，通常用于碳基合成工藝和半導體工業。一種特殊的混合化學氣體進入真空環境，在沉積到底部前合并。
兩種生產碳化硅晶片的方法都需要大量的能量，設備和知識才能成功。更多內容資訊，請關注http://m.hualizg.cn/進行了解。
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